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IntelXe独立显卡一个架构通吃最多1000个单元

放大字体  缩小字体 时间:2019-11-18 20:02:15  阅读:645+ 作者:责任编辑NO。姜敏0568

Intel今日正式发布了正在研制中的通用型GPU Ponte Vecchio,7nm工艺制作,Foveros 3D、EMIB封装,Xe全新架构,支撑HBM显存、CXL高速互连等技能,面向HPC高功能核算、AI人工智能等范畴。

事实上,Intel Xe GPU架构是一个十分灵敏、扩展性极强的一致架构,并针对性地区分红多个微架构,然后可用于简直一切核算、图形范畴,包含百亿亿次高功能核算、深度学习与练习、云服务、多媒体修改、工作站、游戏、轻浮笔记本、便携设备等等。

Intel还将Xe GPU区分红了三个层次:

1、Xe LP(低功耗):用于集成核显、入门级独显,典型功耗5-20W,最高可扩展到50W。

2、Xe HP(高功能):用于干流和发烧消费商场、数据中心和AI范畴,典型功耗75-250W。

3、Xe HPC(高功能核算):用于超级核算机等,功耗暂无详细数值但根本不会有什么约束。

Intel首席架构师Raja Koduri泄漏,Xe GPU开始只规划了LP、HP两个微架构,后来发现HPC范畴也有很大的机会,就增加了一个,也是这次介绍的要点,能够打造百亿亿次超算渠道,比方美国能源部旗下的“极光”(Aurora)就用了它和未来的10nm可扩展至强。

Raja还宣称,Xe HPC能够扩展到多达1000个EU履行单元,并且每个单元都是全新规划的,FP64双精度浮点核算才能是现在的40倍。

Xe HPC架构中,EU单元对外经过XEMF(Xe Memory Fabric)总线衔接HBM高带宽显存,一起集成大容量的一致性缓存“Rambo”,CPU和GPU均可拜访,并借此将多个GPU衔接在一起,供给极致的显存带宽和FP64浮点功能,且支撑显存/缓存ECC纠错、至强级RAS。

封装方面,EMIB用于衔接GPU与HBM,Foveros则用于互连Rambo缓存,由多个GPU在同一中介层上同享。二者都会大大提高带宽功率和密度。

Xe HPC将选用Intel 7nm工艺制作,官方称新工艺会参加EUV极紫外光刻技能,比较于10nm晶体管密度翻番,一起规划规矩复杂度只要四分之一,并且规划了跨节点工艺优化,也便是会有更好的7nm+、7nm++。

当然,Intel早就说了第一款Xe显卡会是10nm工艺,仅仅这次没有给出更详细的音讯,估量会在下一年先推出10nm工艺、面向干流和发烧游戏商场的产品,后年再拿出7nm工艺、面向数据中心和高功能核算的版别。

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