现在闪存技能正在不断晋级迭代，各大闪存厂商为了晋级容量下降原价，开端不断研制更高仓库层数的闪存芯片。
近来据新闻媒体报道，SK海力士宣告11月份向首要客户交给根据128层1Tb 4D NAND的工程样品，并比预期提早量产。本次样品包含1TB UFS 3.1、2TB 客户端cSSD、16TB 企业级eSSD，方案将于2020年实现在5G手机、PC、企业级商场的商用。
在本年上半年，三星和SK海力士首先揭露发布128层3D NAND，相较于96层3D NAND具有更高的容量以及更显着的本钱优势。
除了三星、SK海力士，西部数据/铠侠、美光/英特尔等也研制了128层3D NAND，将正式翻开TB级产品遍及的战局。
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