本文将从内存工业全体微观行情和智能手机存储商场两部分进行解读。
文︱Aaron
图︱网络
由集邦咨询举办的2020存储工业趋势峰会昨日在深圳举办，详细解读全球半导体存储工业微观经济环境、工业细分商场以及技能演化动态，深度剖析未来的驱动要素和使用商机。本文将从内存工业全体微观行情和智能手机存储商场两部分进行解读。
2020年全球内存工业趋势剖析
全体来看，全球2020年内存商场生长预估仅为12.2%，相较于2019年的19.0%有很大的下降。尽管如此，服务器内存商场的添加仍旧可观，猜测该部分在2020年的同比添加到达20.1%。占整个内存商场的份额从2019年的32.6%添加到2020年的34.9%。（如下图）
DRAMeXchange研讨副总经理郭祚荣表明，服务器内存商场生长最高，有望在未来三到五年内超越举动式内存商场。
PC内存商场一向坚持跌势，从现实状况来看，人们对笔记本产品的换机时刻越来越久，导致商场动力缺乏。
从全球内存厂晶圆投片量预估来看，2020年Q4与2019年Q4比较全体生长只要约为5%。在该季度，三星下一年约生长为30K。郭祚荣称：“以我经历来看，投片并不多，根本上没有新的产能开出。”此外，郭祚荣还表明，从三星视点来看，它并不想做价格竞争，而把赢利下降，期望一向稳住自己30点的毛利。（如下图）
据他猜测，三星的旧工厂Line 13在2021或许2022年投片或许归零，做CMOS Sensor的生意。
2019年Q4到2020年Q4，SK海力士的产能不增反减，其间首要是M10工厂在减产，转而做CMOS Sensor生意。郭祚荣表明，SK海力士无锡C2厂最大容量能做到280K，现在只用了一半产能。或许因为中美关系的杂乱化，忧虑芯片出售到海外没有价格竞争力。此外，SK海力士新工厂M16估计下一年Q4竣工，完成大部分量产估计到2021年。
美光在今明两年的Q4都没有太多改变，其在中国台湾设有新工厂，竣工时刻与SK海力士M16相差无几。南亚科本年还有转折点，考虑要不要用导入美光制程，所以产能仅仅预估。
从全球内存厂2020年产出量年生长预估来看，2019年三星和SK海力士同比添加都超越20%，下一年只剩10来个点，背面因为本钱开销的削减。SK海力士因为本年转向1x nm制程，所以下一年添加幅度最大。（如下图）
从全球内存厂工艺演进来看，从2018年到2020年1X/1Y nm逐步成为干流。三星方面，工艺首要会集1x nm。因为1Z nm制程本钱太高，三星要坚持赢利，坚持收入，所以在1Z nm的投入并不活跃。美光方面，虽然也有1Z nm制程，毛利却无法和三星抗衡。（如下图）
郭祚荣表明，从制程先进程度来比较，三星排榜首，随后是SK海力士和美光，现在来看，相同的命名方法，美光其实三星一个代代。不过现在美光的1Z nm较为先进，能与三星一较高下。
不管怎样，下一年1Xnm仍旧是干流产品。
从需求侧剖析，与上面所说相同，全体呈现微幅减缩，而服务器还在继续添加。智能手机端本年下降了4%，郭祚荣称用户都在等待5G手机，下一年智能手机端内存商场将大约与本年相等。（如下图）
到2020年，全球内存需求将添加17.5%，其间根据智能手机与服务器的范畴占比最大。从下图可见，两者相加简直占到7成商场。（如下图）
再看工业营收预估，2019年，内存厂高库存水位难以纾解，第三季度日韩问题带动拉货力道，第四季度服务器需求提成，让库存逐步下降。到了2020年，内存厂产出保存，获利是他们的首要方针，将带动商场的供需平衡。（如下图）
2020年全球内存工业营收生长与供需预估
下面这张详细价格图就更能体现问题，拿PC DRAM DDR4 8GB内存来举例，年头一月份价格50块，下半年只剩一半。下一年涨幅不高根本相等，因为英特尔CPU缺货影响，导致笔记本商场出货不顺，内存产品也会有所影响。
下图则是个内存产品价格的预估，手机部分的价格添加最为陡峭，全体而言，供货商为了为了坚持生机，然后挑选维护诗词，下一年价格会起涨，最快第二季度可以闪现。
2020年智能手机开展与存储商场趋势剖析
从DRAMeXchange剖析师叶旺盛的陈述中可以精确的看出，现在智能手机开展已到达饱满阶段，硬件更新减慢，到2020年全体智能手机出产值将到达14亿台。全体格式坚持大者恒大状况，其间因为国际形势杂乱，华为的海外商场开辟或许会受限，但其国内添加不断上涨。假如美国方针利好，华为一年产值到达2.7亿台也有或许。
2020年智能手机开展的新趋势来看，摄像头方面，将会有更多镜头、更高像素、ToF和屏下相机模组呈现；屏幕方面，窄边框和高帧率将提高使用者实在的体会；存储方面，仍然是寻求大容量和更快的传输速度；此外，生物辨认和屏下指纹将会更多的浸透。
5G手机将在未来两年加快添加，下图的赤色部分。
存储端，UFS将会愈加合适用于5G年代的智能手机，叶旺盛表明，eMMC将在5G年代中逐步筛选。
从智能手机存储的传输介面与元件架构趋势来看，当时uMCP与eMCP已根本上没有价差，考虑到传输速度的提高以及标准竞逐的需求，估计可以在2020年起加快浸透入智能手机商场。
智能手机存储的传输介面与元件架构趋势，1Q17-4Q20F
此外，跟着NAND Flash技能开展到3D NAND阶段，每颗die的传输速度也有小幅提高，在UFS3.0或以上的产品内，高层数3D NAND会是更匹配的组件。因而，叶旺盛表明，3D 92/96层NAND Flash产品浸透率估计将在2020年大幅提高。
从近几年智能手机内存耗费量与搭载容量趋势来看，不管总量添加或阑珊，均匀搭载容量添加在后续几年仍能坚持在30% YoY以上。在2020年，不管是以UFS 2.1为主的uMCP或分离式的UFS 3.0，128GB都仍会是干流或占适当比重。供货商现在致力于推出256GB水平的uMCP，有助于下半年起提高出货比重。
智能手机内存耗费量与搭载容量趋势，1Q17-4Q20F
在智能手机存储价格方面，从2019年Q3季度到2020年Q4季度，需求面不断回稳，2020年Smarthpone bit consumption回到超越30%的添加。估计合约价将在2020年Q2到Q3季度之间反弹起涨。
智能手机存储价格趋势，3Q19-4Q20F
总的来看，智能手机需求已到达高原期，集邦咨询剖析指出，未来几年内除非全体经济形式剧烈改变，智能手机年出产台数将落在14~14.5亿之间；大者恒大的趋势继续在前六大品牌发酵；2020年5G手机出货量可望明显添加，集邦咨询剖析以为总量会到达智能手机总数的14%，即约2亿支水平。
伴跟着5G议题带动，UFS 2.1/3.0可望大幅替代eMMC比重，2020Q4将超越50%；2019年举动设备闪存耗费添加少于30%，2020年在总量止跌下，康复至30-35%；均匀搭载容量估计将在2019年Q4超越100GB，并在2020Q4超越128GB，2020年全年均添加约为35%。
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